LEYBOLD DIDACTIC GMBH Mode d`emploi 578 613 Instrucciones
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1. Physique Chimie Biologie Technique 5 96 kem 578 613 NELA SFH 25 al al 3 Jo 3 O O Sl Ef g IS VU Fig 1 Phototransistor STE pour fibre optique avec connexion de base 578 613 Photodiode STE pour fibre optique 578 615 Pile solaire 0 5 V 0 3A 578 622 Les l ments semi conducteurs au silicium permettent de r ali ser des exp riences illustrant l influence de l clairement sur les propri t s lectriques de ces l ments lls sont install s dans des circuits mont s sur les plaques r seau enfichables DIN A4 A3 A2 576 74 75 580 10 La photodiode et le pho totransistor peuvent tre clair s par le biais de fibres optiques 579 44 en particulier avec les diodes luminescentes pour fi bres optiques 578 481 482 1 Remarques de s curit roy A1 TA LEYBOLD LEYBOLD DIDACTIC GMBH Mode d emploi 578 613 Instrucciones de servicio 578 615 578 622 Phototransistor STE pour fibre optique avec connexion de base Photodiode STE pour fibre optique Pile solaire 0 5 V 0 3A Fototransistor STE para fibra ptica con terminal de base Fotodiodo STE para fibra ptica Celda solar 0 5 V 0 3 A Fig 1 Fototransistor STE para fibra ptica con terminal de base 578 613 Fotodiodo STE para fibra ptica 578 615 Celda solar 0 5 V 0 3 A 578 622 Con los elementos semiconductores de silicio se pueden reali zar experimentos para el2. E E tentiom tre et relever pour chacune d entre elles les valeurs de la ten sion et du courant Calcul de la puissance d livr e par la pile solaire avec P U I Pour un montage en s rie ou en parall le de piles solai res mise en vidence de l addition des tensions et des courants Para registrar las curvas caracter sticas U se coloca el potenci metro en diversas posiciones y luego se leen los correspondientes valores de la tensi n y la corriente La potencia suministrada por la celda solar se calcula con P U I En las conexiones en serie o en paralelo de las celdas solares se comprueba la adici n de tensiones y corrientes re spectivamente 3 2 Photodiode 5 V 10 KQ 3 3 Comparaison entre pile solaire et photodiode 3 3 1 Photodiode en service sans tension externe 3 3 2 Pile solaire en service avec tension externe 5 V 1k0 mM 3 2 Fotodiodo Fig 3 La photodiode est clair e l aide d une ampoule incandescente ou des diodes mettrices via des fibres optiques Elle fonctionne dans le sens bloquant et devient conductrice en cas d clairement Al fotodiodo se le ilumina con una l mpara incandescente o con el diodo emisor a trav s de una fibra ptica Se opera en sentido de bloqueo y con duce al iluminarse 3 3 Comparaci n entre celda solar y fotodiodo 3 3 1 Fotodiodo operado sin tensi n externa Fig 4 La photodiode tant raccorde un mi
3. caract ristiques des courants nettement plus grandes que dans l ex p rience 3 2 La corriente de base del transistor se controla mediante iluminaci n del foto diodo Con ello en la resistencia de protecci n se pueden registrar diferen cias de potencial como medida de las corrientes claramente mayores que en el experimento 3 2 3 5 Ganancia de corriente del fototransistor 5 V Fig 7 Le gain en courant est mesur lorsque le phototransistor est couvert Le courant de base se calcule partir de la diff rence de potentiel aux bor nes de la r sistance s rie La ganancia de corriente se mide con el fototransistor cubierto La corriente de base se calcula a partir de la diferencia de potencial en la resisten cia en serie 3 6 Circuit r cepteur de lumi re du phototransistor 5 V oV f SFH 350 3 6 Circuito fotoreceptor del fototransistor Fig 8 Le circuit correspond au montage exp rimental 3 4 avec la photodiode Il permet de recevoir par ex des signaux de lumi re modul s par le biais de fibres optiques et de les rendre audibles en rempla ant la r sistance par un haut parleur par ex 579 28 Aussi bien l nergie lectrique que l nergie solaire influencent le comportement de passage de la jonction collecteur metteur El circuito corresponde al montaje experimental 3 4 con el fotodiodo Con l se pueden recibir por ej a trav s de fibra ptica se ales luminosa
4. coramp rem tre par ex 531 911 ou 915 il est possible de mesurer un courant vide en cas d claire ment la photodiode se comporte comme une pile solaire voir aussi 3 1 tant donn que la surface photosensible de la pile solaire est bien plus grande il n y a qu aupres d elle qu il est possible de pr lever un courant appr ciable Al conectar el fotodiodo a un microamper metro por ej 531 911 6 915 e iluminarlo se puede medir una corriente sin carga el fotodiodo se com porta como una celda solar ver secci n 3 1 debido a que la superficie fo tosensible de la celda es mucho mayor de sta ltima es posible tomar una corriente apreciable 3 3 2 Celda solar operada con tensi n externa Fig 5 Lorsque la pile solaire est clair e il est possible de mesurer une as sez grande diff rence de potentiel caract ristique du courant La pile solaire se comporte dans cette exp rience comme la photodiode voir aussi 3 2 Al iluminar la celda solar se puede registrar una mayor diferencia de potencial como medida de la corriente La celda solar se comporta en este caso como un fotodiodo ver secci n 3 2 3 4 Photodiode avec transistor branch en aval 5 V oV BD 137 3 5 Gain en courant du phototransistor 3 4 Fotodiodo con transistor en serie Fig 6 Le courant de base du transistor est command par l clairement de la photodiode Cela permet de mesurer des diff rences de potentiel
5. estudio de sus propiedades el ctricas en funci n de la luminosidad Los instrumentos se emplean en circuitos montados sobre los tableros de conexiones DIN A4 A3 A2 576 74 75 580 10 En particular al fototransi tor y al fotodiodo se les puede iluminar con los diodos emisores para fibra ptica 578 481 482 mediante los conductores de fibra ptica 579 44 1 Instrucciones de seguridad e Les l ments sont pr vus pour une utilisation dans des circuits aliment s par une tr s basse tension de s curit tension continue max admissible 60 V tension alternative max admissible 25 V Une tension sup rieure ne peut tre admissible qu condi tion d tre s r en cas de contact avec des pi ces sous ten sion qu elle sera instantan ment rabaiss e aux valeurs susmentionn es ou des valeurs encore plus faibles e La photodiode et le phototransistor ne doivent fonctionner que combin s des r sistances s rie limitant le courant e Veillez ce que la polarit soit correcte e Estos dispositivos se emplean en circuitos a ser operados con tensiones bajas de protecci n tensi n continua m x permitida 60 V tensi n alterna m x permitida 25 V Son admisibles tensiones mayores s lo si se garantiza que al tocar partes que conducen tensi n estas tensiones pueden ser reducidas sin retardo a los valores indicados anteriormente o incluso menores e Operar la barrera luminosa obligatoria
6. idad domaine spectral 400 1100 nm Rango espectral 400 1100 nm sensibilit max pour la longueur d onde 850 nm m x sensibilidad para longitud de onda 850 nm sensibilit rel Sensibilidad relativa pour 660 nm 75 para 660 nm 75 pour 950 nm 80 para 950 nm 80 Tension inverse 30 V Tensi n de bloqueo 30 V Puissance dissip e max 100 mw Potencia disipada m x 100 mw Courant photo lectrique Fotocorriente U 5 V rayonnement par fibre optique U 5 V Irradiaci n a trav s de fibra ptica courant de la diode mettrice IF 10 mA Corriente del diodo emisor IF 10 mA pour 660 nm 5 UA para 660 nm 5 UA pour 950 nm 40 uA para 950 nm 40 uA 2 3 Pile solaire 0 5 V 0 3 A 578 622 2 3 Celda solar 0 5 V 0 3 A 578 622 Surface photosensible 2 5 cm x 5 cm Superficie fotosensible 2 5 cm x 5 cm Structure polycristalline Estructura policristalina Photosensibilit Fotosensibilidad domaine spectral 400 1100 nm Rango espectral 400 1100 nm sensibilit max pour la longueur d onde 850 nm m x sensibilidad para longitud de onda 850 nm Rendement 14 Rendimiento 14 Tension vide 500 mV Tensi n sin carga 500 mV Courant de court circuit Corriente de cortocircuito pour 20000 Ix 300 mA para 20000 Lux 300 mA 3 Exemples d exp riences 3 Algunos ejemplos experimentales 3 1 Pile solaire 3 1 Celda solar Fig 2 Pour relever la caract ristique U I assigner diverses positions au po 220 Q
7. mente con una resi stencia en serie para limitar la corriente Observar que la polaridad sea la correcta 2 Description caract ristiques techniques 2 1 Phototransistor STE pour fibre optique avec 2 Descripci n y datos t cnicos 2 1 Fototransistor STE para fibra ptica con terminal de connexion de base 578 613 base 578 613 Type SFH 350 Tipo SFH 350 Photosensibilit Fotosensibilidad domaine spectral 400 1100 nm Rango espectral 400 1100 nm sensibilit max pour la longueur d onde 850 nm m x sensibilidad para longitud de onda 850 nm sensibilit rel Sensibilidad relativa pour 660 nm 60 para 660 nm 60 pour 950 nm 80 para 950 nm 80 Courant collecteur max 50 mA Corriente del colector m x 50 mA Courant collecteur metteur max 50 V Tensi n colector emisor m x 50 V Puissance dissip e max pour 25 C 200 mw Potencia disipada m x T 25 C 200 mw Gain en courant typique 500 Ganancia de corriente t pica 500 Courant photo lectrique Fotocorriente Uce 5 V rayonnement par fibre optique Uce 5 V Irradiaci n a trav s de fibra ptica Courant de la diode mettrice IF 10 mA Corriente del diodo emisor F 10 mA pour 660 nm 1mA para 660 nm 1 mA pour 950 nm 5 mA para 959 nm 5 mA 2 2 Photodiode STE pour fibre optique 579 615 2 2 Fotodiodo STE para fibra ptica 579 615 Type SFH 250 Tipo SFH 250 Photosensibilit Fotosensibil
8. s modu ladas que se pueden hacer audibles cambiando la resistencia por un alta voz por ej 579 28 El comportamiento en el sentido de conducci n de la juntura colector emisor se ve afectado tanto por la energ a el ctrica como por la lum nica LEYBOLD DIDACTIC GMBH Leyboldstrasse 1 D 50354 H rth Phone 02233 604 0 Telefax 02233 604 222 Telex 17 223 332 LHPCGN D O by Leybold Didactic GmbH Printed in the Federal Republic of Germany Technical alterations reserved
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