第107回理事会/第39回通常総会を開催
Contents
1. 1 263 920 30 445 154 125 709 360 81 031 147 125 115 764 2 449 151 142 314 222 6 449 133 124 938 24 121 136 1 803 40 26 22 16 622 294 75 81 48 522 873 75 91 51 033 526 208 168 ISSNSiI 1 359 189 159 45 525 1 498 164 149 125 602 ND 140 127 1 286 20 88 92 eS 62 102 106 359 87 362 832 850 141 212 343 148 156 27 996 157 124 395 137 74 582 161 125 125 541 110 139 433 1 628 139 151 14 206 Si 141 128 39 823 2 139 129 0 0 0 0 0 0 7 36 16 621 3 141 124 43 060 GS 133 117 107 563 20 690 163 132 281 329 53 959 166 134 9 641 1 722 154 69 30 492 4 069 209 70 85 128 9 127 105 140 260 491 23 194 105 126 77 520 977 103 83 241 295 31074 104 88 22 438 25 112 131 69 957 680 98 76 43 95 457 92 87 ISSIS82 80 97 88 561 54 86 422 E559 78 112 313 7 994 55 142. MOSFET c IC LV51111 vss a ww MOSFET MOSFET 1 1 2 2 5 T5 BGA EFC4601R 39 33 MOSFET I 1 BGA 5 T5 BGA T5 EFC4601R 39 1 01mm2
3. 499 078 68 098 142 138 1 312 545 180 763 137 134 318 700 10 525 131 115 839 913 27 079 126 113 13 646 347 101 96 40 698 966 95 84 111 164 523 103 101 268 210 12 101 98 97 64 445 2 539 98 97 153 793 5 963 92 94 26 687 1 108 99 65 059 2 659 100 93 20 032 1 463 116 111 49 358 3 479 114 108 82 365 988 176 164 209 921 2 528 153 145 108 425 3 967 155 135 312 390 2 2 160 139 3 100 100 65 65 8 694 272 50 50 180 378 57 573 166 143 472 632 153 684 163 138 2 864 13 574 128 113 8 090 37 243 121 104 2 080 e238 135 121 5 861 20 767 127 109 328 823 116 116 1 026 2 599 116 117 456 OG 112 105 1 203 113 877 101 96 59 183 16 877 177 200 166 325 47 281 170 200 41 295 14 385 198 232 O24 40 139 190 232 17 888 2 492 142 112 49 304 7 142 136 112 8S 2 162 136 298 217 69 160 161 133 3 2010 3
4. 2010 5 6 MOSFET BGA 3 2 1 BGA 1 1 26mm x 1 26mm x 0 37mm 2 2
5. s 55 1980 2 3 4 PY VC EAE t 3 ee Eee od 5 3 1
6. 5 5 2 5 gl 6 6 G 22 3 2 197 1 6 980 4 9 177 1 2523 6 676 3478 2370 1 0 961 1 5627 3 9 111
7. ECH8601M 8 12mm2 lt ECH8 0 9mm EFC4601R 0 55mm 71 5mQ mm2 BGA 33 0 18mm 2 2 200m 3 2 6mm lt EFCP 0 37mm 2 gt gt
8. 2 1 3 3 1
9. 19 Ji JIS C 8705 gk EC 61951 1 21 27 4 21 JIS C 8515 IEC TC35 27 UN WG 28 BGA MOOSFET MOSFET EFC4612R EFC4615R 2010 5 100 150 6 3000 MOSFET 2
10. 1 17 17 18 19 H21 20 9 10 11 12 12 14 SBA 19 20
11. BATTERY ASSOCIATION OF JAPAN 105 001 1 5 8 03 3434 0261 http www baj or jp http www baj or jp contact 8 6 1 107 39 22 5 14 107 39 1 8 1 1 3 2 5 15
12. H22 4 1 NEC GS H22 4 1 21 2 2 DE Ee 8MnO2 8H20 ZnClz 4Zn gt 8MnOOH ZnCl2 4Zn OH 2 HzO
13. 130 140m2 g 1 5 1 100 7 2 0 2 SUM 1 SUM 1 SUM 1 SUM 1 2 20C 22 5 10 12 T22 JEA 3 17 14 107 3 H21 H22 39
14. 1 0 066 6 7 1 22 5 15 23 5 24 8 8 9 NEC
15. _ 20 IEC SBA 21 SBA 20 21 20 21 SBA G 0605 24 26 27 22 27 JIS 28 PL 22 10 PL 11 IEC62133 3rd CD 13 UN Lithium battery informal WG 18 JIS C 8712 19
16. 3 RoHS EU RoHS RSSon 4 5V RSSon 2 5V min typ max mQ min typ max mOQ mm EFC4612R 24 39 45 33 5 58 72 1 26X1 26X0 37 EFC4615R 24 19 27 31 28 39 52 1 46X1 46X0 37 RSSon RDSonX2 EFC4612R EFC4615R NchPower MOSFET 3 2010 3 2009 1 2009 12 1
17. 21 3 4 4 1 21 5 2 818 5 3 171 353 4 0 636 3 6191 4 445 1 634 2811 4798 1 6 980 1 1 678 5 302 4
18. 3 3 RoHS 1 Ball Grid Array 2 2010 4 26 3 Backside Protection film tech 1 2 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
19. 6 43 26 791 764 157 101 UO 29 333 57 5 938 104 304 110 935 26 92 85 RBSiIIG 118 145 54 7 608 8 149 127 152 19 196 20 119 115 135 635 2 209 115 111 1 981 SS 114 115 542 194 127 70 1 820 693 101 91 0 1 10 5 9722 1570 6 431 5 746 128 186 15 385 12 909 116 152
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